Với một số loại bán dẫn, sự kết cặp của các loại dao động tạo ra các nguồn phá xạ mới hình thành rất đáng chú ý, đặc biệt là tìm các nguồn dao động ổn định về cường độ là một đóng góp rất quan trọng cho việc ứng dụng. Sự kết cặp của phonon quang dọc và plasmon trong các linh kiện vì vậy rất được quan tâm. Một số linh kiện bán dẫn như GaAs, AlAs, InAs, InP... với một nồng độ hạt tải phù hợp sẽ xuất hiện các mode dao động kết cặp rõ ràng. Nghiên cứu chỉ ra rằng, sự biến động hiệu điện thế do sự chênh lệch nồng độ hạt tải được kích thích bởi các xung laser siêu nhanh [15], [16], các chuyển động của hạt tải do chênh lệch mật độ lại đóng vai trò quan trọng tạo ra lực điện kích thích dao động phonon. Vì vậy, với mật độ hạt tải phù hợp, dao động plasmon có tần số gần bằng tần số phonon quang dọc dẫn đến việc hình thành các mode dao động kết cặp phonon-plasmon.
Giá trị tần số theo mật độ hạt tải của diode bán dẫn GaAs cấu trúc p-i-n từ kết quả mô phỏng và tính toán số. |
Số hạt tải kích thích ( Next) (x1017 cm-3) |
Plasmon |
Bulk + |
Bulk - |
Diode + |
Diode - |
Next = 2.5 |
173 |
303.6 |
153.2 |
234.2 |
138.3 |
Next = 5.0 |
244 |
321.1 |
204.2 |
244.9 |
144.6 |
Next = 7.5 |
299 |
348.6 |
230.3 |
309.7 |
222.1 |
Next = 10.0 |
345 |
380.9 |
243.4 |
334.1 |
227.3 |
Next = 12.5 |
386 |
414.0 |
250.3 |
405 |
231.4 |
Next = 15.0 |
423 |
446.2 |
254.4 |
428.1 |
234.3 |
Next = 17.5 |
456 |
477.0 |
257.1 |
454.7 |
244.5 |
Next = 20.0 |
488 |
506.3 |
258.9 |
487.1 |
251.2 |
» Tin mới nhất:
» Các tin khác: