Vừa qua, nhóm tác giả của trường đại học Duy tân gồm TS. Nguyễn Phước Thể và PGS. TS Hồ Khắc Hiếu đã có những kết quả nghiên cứu thú vị. Các nghiên cứu này được thực hiện bằng phương pháp mô phỏng Monte Carlo tập hợp tự hợp. Sau một thời gian nghiên cứu, các tác giả đã công bố và được nhận đăng trên tạp chí vật lý uy tín PLA (Physics Letters A) thuộc danh mục SCI, IF: 1.863. Nội dung của nghiên cứu là hành vi vượt quá vận tốc trong linh kiện bán dẫn có kích thước nano, các kết quả nghiên cứu đã chỉ ra rằng, hành vi vượt quá vận tốc có nguồn gốc từ biến đổi điện trường nội tại trong linh kiện do hạt tải kích thích quang bằng các xung laser siêu nhanh. Từ kết quả nghiên cứu thú vị này có thể giúp các nghiên cứu ứng dụng những thông tin quan trọng trên linh kiện nano, đặc biệt trong thiết kế mô hình và nâng cao hiệu suất sử dụng thiết bị.
Đọc giả có thể tham khả tên tiêu đề và số báo: Investigation of velocity overshoot behavior in p-i-n GaAs semiconductor: the contribution of internal electric field, Physics Letters A, Vo. 383, Is. 19, Pages 2314-2317.
» Tin mới nhất:
» Các tin khác: