Trong bài viết ngắn này, chúng tôi dùng phương pháp mô phỏng Monte Carlo tập hợp tự hợp để khảo sát vận tốc trôi dạt của điện tử trong linh kiện bán dẫn GaAs có kích thước 200 nm tại các nhiệt độ 77 K và 300 K. Chúng tôi thu được kết quả như ở Hình 1 và Hình 2 dưới đây.
Nội dung chi tiết xin xem File đính kèm.» Danh sách Tập tin đính kèm:
» Tin mới nhất:
» Các tin khác: