Quá trình động học trong linh kiện nano luôn thu hút sự chú ý của các nhà nghiên cứu.
Quá trình động học trong linh kiện bán dẫn kích thước nano là một chủ đề luôn thu hút sự quan tâm của các nhà nghiên cứu, trong điều kiện kích thước bé cỡ vài trăm nano mét thì thời gian chuyển động của điện tử là khá ngắn. Các hành vi động học của các điện tử trong linh kiện bán dẫn quan sát được phụ thuộc vào điều kiện và phương pháp nghiên cứu, hiển nhiên, việc nắm rõ các hành vi động học giúp chúng ta có thể thiết kế, cải tiến và nâng cao hiệu suất sử dụng linh kiện. Thông thường, các quan sát chuyển động của điện tử dưới ảnh hưởng của điện trường ngoài mạnh thì trong thời gian ngắn (dưới 150 fs) được xem là chuyển động đạn đạo, sau đó vận tốc tiếp tục tăng không tuyến tính lên đến giá trị cực đại rồi giảm về giá trị cực tiểu gọi là hiện tượng vượt quá vận tốc. Hiện tượng này được giải thích trên nhiều mô hình và phương pháp khác nhau như động học Boltzman, mô hình động học bán cổ điển. Các nghiên cứu thường chỉ ra rằng, hành vi động học đạn đạo và vượt quá vận tốc có nguồn gốc từ điện trường ngoài cao tác dụng vào linh kiện. Gần đây, bằng phương pháp mô phỏng EMC các tác giả chỉ ra rằng, hành vi vượt quá vận tốc trong linh kiện diode bán dẫn GaAs có cấu trúc pin có nguồn gốc từ điện trường nội tại do chênh lệch nồng độ hạt tải kích thích gây ra. Trong trường hợp không có điện trường ngoài thì vận tốc biến động tắt dần theo thời gian. Bằng phương pháp đó, họ tiến hành khảo sát được sự phục hồi vận tốc sau mỗi chu kỳ phụ thuộc chủ yếu nồng độ hạt tải kích thích.
» Tin mới nhất:
» Các tin khác: