Tuy nhiên, khi giảm kích thước linh kiện thì hành vi động học của điện tử ở đó có nhiều thay đổi so với bán dẫn khối. Chẳng hạn như một trong những hành vi điển hình là hành vi chuẩn đạn đạo được quan sát tồn tại trong khoảng vài trăm femto giây (fs) hay hành vi vượt quá vận tốc là một trong những chủ đề rất được quan tâm của các nhà nghiên cứu trong thời gian qua. Ở đó, các quan sát trong miền thời gian cỡ fs cho thấy được giá trị vận tốc cực đại lớn hơn rất nhiều so với giá trị cân bằng của nó. Hiện tượng vượt quá vận tốc lần đầu phát hiện bới H. D. Rees năm 1969 trên mẫu linh kiện Ge khi một điện trường mạnh tác động vào linh kiện. Sau đó nhiều nghiên cứu trên các bán dẫn khác cũng được chỉ ra như trên Si, GaAs, InP, GaN, InGaSp, InAsP... của nhiều nhóm nghiên cứu khác nhau cũng bằng cách thức tương tự. Các hành vi này cũng quan sát được trong điều kiện nồng độ hạt tải kích thích cao lên đến cỡ 1018 cm-3 bởi các xung laser siêu nhanh. Gần đây, một nghiên cứu của tác giả Nguyen Phuoc The cũng đã chỉ ra sự tồn tại vượt quá vận tốc ngay cả khi không có điện trường ngoài tác dụng mà chỉ xét nguồn gốc từ biến đổi của nồng hạt tải kích thích quang. Các tác giả đã dẫn chứng lý thuyết và quan sát hành vi vượt quá vận tốc bằng phương pháp mô phỏng Monte Carlo tập hợp tự hợp (EMC) trên bán dẫn GaAs. Điều đặc biệt là nghiên cứu này không chỉ quan sát được hành vi vượt quá vận tốc mà còn quan sát được hành vi phục hồi vận tốc trên linh kiện diode bán dấn GaAs cấu trúc p-i-n. Hiện tượng phục hồi vận tốc này là lần đầu tiên được chứng minh bằng lý thuyết và quan sát bằng phương pháp EMC. Điều này khẳng định các hành vi động học dị thường này trong các linh kiện nano đến nay vẫn còn là một chủ đề thú vị cần nhiều nghiên cứu để hiểu rõ hơn.
» Tin mới nhất:
» Các tin khác: